MKS 1179A11CR1BV Mass Flow Controller AMAT 3030-09151
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MKS HPS 153-1050K Valve
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MKS HPS 153-1050K Valve
我司主營AMAT TEL LAM MKS SMC VAT等品牌半導體設備，零件。
由于FAB設備的部件型號比較多，不能一 一列舉，如果有其它型號的零部件需要，請隨時聯(lián)系我們。
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我司上海九展自動化技術有限公司致力于為國內(nèi)半導體制造企業(yè)提供快速高效的設備，部件，耗材和維修服務。
我們跟國內(nèi)外多家設備制造商，經(jīng)銷商，零部件貿(mào)易商，晶圓廠，高校，研究所有長期的接觸和聯(lián)系，我們有能力保證品質并提供有競爭力的價格。
應用材料公司 Charger UBM PVD 系統(tǒng)為芯片封裝的金屬沉積生產(chǎn)率和可靠性定義了新標準。該充電器系統(tǒng)專為UBM、RDL和CMOS圖像傳感器應用而設計，其線性架構是競爭系統(tǒng)的兩倍多晶圓產(chǎn)量，可提供**的生產(chǎn)率。此外，與**的Volaris®預清洗技術集成后，該系統(tǒng)能夠在維修之間處理更多的晶圓，從而實現(xiàn)最佳的正常運行時間和最低的每片晶圓成本。
與傳統(tǒng)的電感耦合等離子體濺射室相比，Volaris預清潔室設計最大限度地減少了有機膜除氣產(chǎn)生的污染物，并將同類最佳的接觸電阻性能從傳統(tǒng)擴展到最先進的技術節(jié)點。這種獨特的原位清潔技術延長了工藝套件的使用壽命，降低了生產(chǎn)成本，并通過減少預防性維護頻率來提高產(chǎn)量，從而為客戶提供包裝沉積系統(tǒng)中最低的擁有成本。
精選的磁控管和 PVD 腔室設計改進可滿足 UBM 和 RDL 應用中使用的各種金屬（例如 Ti、TiW、Cu 和 NiV）的嚴格薄膜沉積均勻性規(guī)范。
充電器系統(tǒng)的模塊化架構增強了配置靈活性，可以輕松地將緊湊的三腔配置擴展為五腔大批量制造系統(tǒng)，同時將停機時間降至最低。
與傳統(tǒng)的電感耦合等離子體濺射室相比，Volaris預清潔室設計最大限度地減少了有機膜除氣產(chǎn)生的污染物，并將同類最佳的接觸電阻性能從傳統(tǒng)擴展到最先進的技術節(jié)點。這種獨特的原位清潔技術延長了工藝套件的使用壽命，降低了生產(chǎn)成本，并通過減少預防性維護頻率來提高產(chǎn)量，從而為客戶提供包裝沉積系統(tǒng)中最低的擁有成本。
精選的磁控管和 PVD 腔室設計改進可滿足 UBM 和 RDL 應用中使用的各種金屬（例如 Ti、TiW、Cu 和 NiV）的嚴格薄膜沉積均勻性規(guī)范。
充電器系統(tǒng)的模塊化架構增強了配置靈活性，可以輕松地將緊湊的三腔配置擴展為五腔大批量制造系統(tǒng)，同時將停機時間降至最低。
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0020-10117
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應用材料公司的® Picosun® Morpher? F 系統(tǒng)旨在顛覆 Beyond 和 More than Moore 技術中高達 200 mm 的晶圓行業(yè)。它能夠快速、全自動、高吞吐量地生產(chǎn) MEMS、傳感器、LED、激光器、電力電子、光學器件和 5G 組件，并具有領先的工藝質量、可靠性和操作敏捷性。
應用材料公司 Picosun Morpher F 可適應您所在行業(yè)不斷變化的需求和客戶的要求，涵蓋從企業(yè)研發(fā)到生產(chǎn)和鑄造制造的所有業(yè)務垂直領域。Morpher 在基板材料、基板和批量大小方面具有領先的多功能性，以及廣泛的工藝范圍，使 Morpher 真正成為可轉型、包羅萬象的制造設施，讓您在行業(yè)中保持領先地位。
應用材料公司的 Picosun Morpher F 設計用于與行業(yè)標準單晶圓真空集群平臺相結合，對晶圓批次進行全自動處理。革命性的晶圓批量翻轉機制使該系統(tǒng)能夠與半導體生產(chǎn)線集成，其中大部分加工都是在水平幾何形狀中進行的，SEMI S2/S8 認證確保該系統(tǒng)符合行業(yè)最嚴格的標準。
憑借我們的雙室熱壁反應器設計，具有完全分離的前驅體導管和入口，我們創(chuàng)造了**質量的 ALD 薄膜，具有出色的產(chǎn)量、低顆粒水平以及卓越的電氣和光學性能。緊湊、符合人體工程學的設計，易于快速維護，確保了市場上最短的系統(tǒng)停機時間和最低的擁有成本。
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