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我們跟國內外多家設備制造商，經銷商，零部件貿易商，晶圓廠，高校，研究所有長期的接觸和聯系，我們有能力保證品質并提供有競爭力的價格。

應用材料公司 Endura Volta CVD 鈷系統保持了應用材料公司在 CVD 領域的技術*先地位，在超過 15 年的銅阻隔層/種子 （CuBS） 開發(fā)中*次引入了材料變化，以實現持續(xù)的高性能互連擴展。這項x創(chuàng)的技術使晶種增強襯墊和厚度小于 20? 的選擇性帽層的沉積成為可能，從而提高了 2Xnm 及以上節(jié)點的互連產量和可靠性。它是業(yè)界*一的基于真空的電遷移 （EM） 緩解解決方案，也是*一集成在同一平臺上的 CVD 鈷襯里產品，具有預清洗、阻隔和銅籽工藝。

在對復雜移動技術需求的推動下，多組件片上系統 （SoC） 設計正在激增，以提供所需的功能和緊湊的外形尺寸。反過來，這些現代處理器的激進間距擴展推動了更高的電路密度和*性能的必要性，這些互連在這些多級設備中運行數英里。這些趨勢使得實現覆蓋率、附著力和填充率更具挑戰(zhàn)性，從而產生設備運行所必需的無空隙銅互連。即使是一個空隙也會使芯片的某些部分變得無用。

Volta CVD 鈷系統為擴展銅互連技術開創(chuàng)了新的材料時代。它通過改善銅潤濕性來促進銅種子層的覆蓋，從而形成薄的、連續(xù)的、保形層，有助于修復不連續(xù)性并形成堅固的種子層。這種高質量的層反過來又促進了***節(jié)點的無空隙銅間隙填充。
縮小的幾何形狀還會導致更高的電阻，并且更容易受到銅線電磁故障的影響。銅和介電阻擋層之間界面處的高質量粘接對于避免電磁故障至關重要。Volta 系統采用同類** （>100：1） 選擇性金屬封蓋工藝，可增強銅-介電界面的附著力，從而將 EM 性能提高一個數量級，而不會增加線路電阻或降低隨時間變化的介電擊穿性能。

結合使用 Volta CVD 鈷作為襯里和選擇性金屬帽，可實現銅線的完全封裝，并確保 2Xnm 及以后節(jié)點x強大的互連可靠性。

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