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研究用高純度硅晶片:
作為研究.開發(fā)用途有一定實(shí)際業(yè)績(jī)，供應(yīng)從少量起步的采用高純度材料的晶片。產(chǎn)品詳情研究用高純度硅晶片4×P型(高電阻)
研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
作為研究.開發(fā)用途有一定實(shí)際業(yè)績(jī)，供應(yīng)從少量起步的采用高純度材料的晶片。
品牌：其他(進(jìn)口)
研究用高純度硅晶片4×P型(高電阻)規(guī)格：
● 制造方法：CZ法
● 平面方位：100
● OF位置：110
● 電阻值：0.1～100Ω.cm ※低電阻：≦0.02Ω.cm、高電阻：≧500Ω.cm
● 粒子：2-960-01～08／不論粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10個(gè)以下
研究用高純度硅晶片4×P型(高電阻)
產(chǎn)品詳情研究用高純度硅晶片4×P型(高電阻)
研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
作為研究.開發(fā)用途有一定實(shí)際業(yè)績(jī)，供應(yīng)從少量起步的采用高純度材料的晶片。
品牌：其他(進(jìn)口)
研究用高純度硅晶片4×P型(高電阻)規(guī)格：
● 制造方法：CZ法
● 平面方位：100
● OF位置：110
● 電阻值：0.1～100Ω.cm ※低電阻：≦0.02Ω.cm、高電阻：≧500Ω.cm
● 粒子：2-960-01～08／不論粒子、 2-960-51～62／≧0.3um、10個(gè)以下
研究用高純度硅晶片4×P型(高電阻)
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