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研究用高純度硅晶片4×P型(低電阻)

研究用高純度硅晶片: 作為研究.開發(fā)用途有一定實際業(yè)績,供應(yīng)從少量起步的采用高純度材料的晶片。

產(chǎn)品詳情

研究用高純度硅晶片4×P型(低電阻)
研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
作為研究.開發(fā)用途有一定實際業(yè)績,供應(yīng)從少量起步的采用高純度材料的晶片。
品牌:其他(進(jìn)口)

研究用高純度硅晶片4×P型(低電阻)規(guī)格:
● 制造方法:CZ法
● 平面方位:100
● OF位置:110
● 電阻值:0.1~100Ω.cm ※低電阻:≦0.02Ω.cm、高電阻:≧500Ω.cm
● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個以下
研究用高純度硅晶片規(guī)格.JPG
研究用高純度硅晶片4×P型(低電阻)

產(chǎn)品詢價
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