APPLIED MATERIALS AMAT 0041-13111 0041-13114 300MM ELECTROSTATIC CHUCK

我司主營(yíng)AMAT TEL LAM?Varian BROOKS MKS?SMC COMET VAT等品牌半導(dǎo)體設(shè)備，零件。

由于FAB設(shè)備的部件型號(hào)比較多，不能一 一列舉，如果有其它型號(hào)的零部件需要，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。

聯(lián)系電話:021-6838 8387

我司上海九展自動(dòng)化技術(shù)有限公司致力于為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)提供快速高效的設(shè)備，部件，耗材和維修服務(wù)。

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我們跟國(guó)內(nèi)外多家設(shè)備制造商，經(jīng)銷商，零部件貿(mào)易商，晶圓廠，高校，研究所有長(zhǎng)期的接觸和聯(lián)系，我們有能力保證品質(zhì)并提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

Endura?物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng)

核心功能

金屬互連沉積（Cu/Co/Ru）

高深寬比結(jié)構(gòu)填充（最高30:1）

新型二維材料集成（MoS?/WSe?）

技術(shù)規(guī)格

技術(shù)創(chuàng)新

離子化PVD技術(shù)

離化率＞90%

深寬比填充能力15:1

階梯覆蓋率＞95%

低溫沉積工藝

工藝參數(shù)示例：

- 工作壓力：3mTorr

- RF功率：500W

- 基板溫度：150℃（傳統(tǒng)工藝250℃）

行業(yè)應(yīng)用案例

▌臺(tái)積電3nm工藝

16層銅互連結(jié)構(gòu)

互連電阻降低18%

良率提升7%

▌美光176層3D NAND

鎢字線沉積（深寬比30:1）

單元間距縮小至25nm

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