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我司主營(yíng)AMAT TEL LAM  MKS SMC VAT等品牌半導(dǎo)體設(shè)備，零件。

由于FAB設(shè)備的部件型號(hào)比較多，不能一 一列舉，如果有其它型號(hào)的零部件需要，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。

聯(lián)系電話:021-6838 8387

我司上海九展自動(dòng)化技術(shù)有限公司致力于為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)提供快速高效的設(shè)備，部件，耗材和維修服務(wù)。

我們跟國(guó)內(nèi)外多家設(shè)備制造商，經(jīng)銷(xiāo)商，零部件貿(mào)易商，晶圓廠，高校，研究所有長(zhǎng)期的接觸和聯(lián)系，我們有能力保證品質(zhì)并提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

    化學(xué)機(jī)械平坦化 （CMP）
在制造微芯片的各個(gè)階段，晶圓的表面必須完全平坦（平坦化）。這樣做是為了去除多余的材料，或者為添加下一層電路功能創(chuàng)造一個(gè)完全平坦的基礎(chǔ)。為此，芯片制造商使用了一種稱為化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）的工藝。

CMP通過(guò)在晶圓背面施加精確的下壓力，并將前表面壓在特殊材料的旋轉(zhuǎn)墊上，該旋轉(zhuǎn)墊還含有化學(xué)品和研磨劑的混合物，從而去除晶圓正面表面的多余材料并使其平坦化。為確保適量的材料均勻地保留在整個(gè) 300 毫米晶圓上，該工藝必須在材料去除過(guò)程中施加不同數(shù)量的下壓力，同時(shí)在正確的點(diǎn)停止以避免拋光關(guān)鍵的基礎(chǔ)特征。

應(yīng)用材料公司的控制系統(tǒng)連續(xù)測(cè)量晶圓上多個(gè)點(diǎn)的薄膜厚度，并每秒多次調(diào)整拋光下壓力，以在每個(gè)晶圓上產(chǎn)生一致的結(jié)果。整個(gè) CMP 過(guò)程在短短 60 秒內(nèi)完成，包括拋光后清潔，在此期間對(duì)晶圓進(jìn)行清洗、沖洗和干燥，然后離開(kāi) CMP 系統(tǒng)。
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 Reflexion® LK Prime® CMP
Reflexion LK Prime CMP 系統(tǒng)具有使用四個(gè)拋光墊、六個(gè)拋光頭、八個(gè)清潔室和兩個(gè)具有先進(jìn)工藝控制的干燥室的順序加工站，可為當(dāng)今最先進(jìn)的 CMP 應(yīng)用提供精密加工和高生產(chǎn)率。Reflexion LK Prime CMP 針對(duì)兩步 CMP 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，同時(shí)保持了 Reflexion LK CMP 的性能。其更高的拋光和清潔能力（Reflexion LK CMP 為 14 個(gè)模塊，而 Reflexion LK CMP 為 7 個(gè)模塊）和優(yōu)化的晶圓處理使許多應(yīng)用的先前晶圓吞吐量提高了一倍，從而將生產(chǎn)率提高了 100%。
能夠獨(dú)立使用每個(gè)拋光和清潔站，可以靈活地運(yùn)行順序、并行或批處理工藝，并在每個(gè)壓板上實(shí)現(xiàn)更大程度的定制。例如，3D NAND較厚的薄膜層和較寬的形貌需要長(zhǎng)時(shí)間、穩(wěn)定的拋光。在多個(gè)壓板上以一系列較短的拋光方式執(zhí)行這些操作，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可預(yù)測(cè)的平坦化。這反過(guò)來(lái)又有助于優(yōu)化晶圓上的性能并減少缺陷。與 Reflexion LK CMP 系統(tǒng)一樣，LK Prime 系統(tǒng)也采用了最新的拋光、清潔和過(guò)程控制技術(shù)，以確保在滿足未來(lái)設(shè)備節(jié)點(diǎn)要求方面實(shí)現(xiàn)最高水平的性能。

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