AMAT 0190-14999 EMISSOMETER HIGH EMISSIVITY WAFER
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我們跟國內(nèi)外多家設(shè)備制造商,經(jīng)銷商,零部件貿(mào)易商,晶圓廠,高校,研究所有長期的接觸和聯(lián)系,我們有能力保證品質(zhì)并提供有競爭力的價格。
化學(xué)機(jī)械平坦化 (CMP)
在制造微芯片的各個階段,晶圓的表面必須完全平坦(平坦化)。這樣做是為了去除多余的材料,或者為添加下一層電路功能創(chuàng)造一個完全平坦的基礎(chǔ)。為此,芯片制造商使用了一種稱為化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)的工藝。
CMP通過在晶圓背面施加精確的下壓力,并將前表面壓在特殊材料的旋轉(zhuǎn)墊上,該旋轉(zhuǎn)墊還含有化學(xué)品和研磨劑的混合物,從而去除晶圓正面表面的多余材料并使其平坦化。為確保適量的材料均勻地保留在整個 300 毫米晶圓上,該工藝必須在材料去除過程中施加不同數(shù)量的下壓力,同時在正確的點停止以避免拋光關(guān)鍵的基礎(chǔ)特征。
應(yīng)用材料公司的控制系統(tǒng)連續(xù)測量晶圓上多個點的薄膜厚度,并每秒多次調(diào)整拋光下壓力,以在每個晶圓上產(chǎn)生一致的結(jié)果。整個 CMP 過程在短短 60 秒內(nèi)完成,包括拋光后清潔,在此期間對晶圓進(jìn)行清洗、沖洗和干燥,然后離開 CMP 系統(tǒng)。
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Reflexion® LK Prime® CMP
Reflexion LK Prime CMP 系統(tǒng)具有使用四個拋光墊、六個拋光頭、八個清潔室和兩個具有先進(jìn)工藝控制的干燥室的順序加工站,可為當(dāng)今最先進(jìn)的 CMP 應(yīng)用提供精密加工和高生產(chǎn)率。Reflexion LK Prime CMP 針對兩步 CMP 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,同時保持了 Reflexion LK CMP 的性能。其更高的拋光和清潔能力(Reflexion LK CMP 為 14 個模塊,而 Reflexion LK CMP 為 7 個模塊)和優(yōu)化的晶圓處理使許多應(yīng)用的先前晶圓吞吐量提高了一倍,從而將生產(chǎn)率提高了 100%。
能夠獨立使用每個拋光和清潔站,可以靈活地運行順序、并行或批處理工藝,并在每個壓板上實現(xiàn)更大程度的定制。例如,3D NAND較厚的薄膜層和較寬的形貌需要長時間、穩(wěn)定的拋光。在多個壓板上以一系列較短的拋光方式執(zhí)行這些操作,可實現(xiàn)穩(wěn)定、可預(yù)測的平坦化。這反過來又有助于優(yōu)化晶圓上的性能并減少缺陷。與 Reflexion LK CMP 系統(tǒng)一樣,LK Prime 系統(tǒng)也采用了最新的拋光、清潔和過程控制技術(shù),以確保在滿足未來設(shè)備節(jié)點要求方面實現(xiàn)最高水平的性能。
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