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我司主營(yíng)AMAT TEL LAM  MKS SMC VAT等品牌半導(dǎo)體設(shè)備，零件。

由于FAB設(shè)備的部件型號(hào)比較多，不能一 一列舉，如果有其它型號(hào)的零部件需要，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。

聯(lián)系電話:021-6838 8387

我司上海九展自動(dòng)化技術(shù)有限公司致力于為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造企業(yè)提供快速高效的設(shè)備，部件，耗材和維修服務(wù)。

我們跟國(guó)內(nèi)外多家設(shè)備制造商，經(jīng)銷商，零部件貿(mào)易商，晶圓廠，高校，研究所有長(zhǎng)期的接觸和聯(lián)系，我們有能力保證品質(zhì)并提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

Centura? iSprint? SSW ALD/CVD
隨著半導(dǎo)體器件不斷向更小的尺寸擴(kuò)展，并轉(zhuǎn)向新的3D結(jié)構(gòu)，突破了PPACt的界限，金屬化觸點(diǎn)的挑戰(zhàn)變得更加復(fù)雜。這些觸點(diǎn)將電子從芯片的一個(gè)位置傳輸?shù)搅硪粋€(gè)位置，對(duì)器件性能至關(guān)重要。多年來(lái)，傳統(tǒng)的CVD鎢因其低電阻率和抗電遷移的魯棒性而成為金屬化許多這些特征的**工藝和材料。然而，在使用傳統(tǒng)CVD技術(shù)填充時(shí)，具有較高縱橫比的特征或可能具有可重入懸垂輪廓的特征的演變很容易導(dǎo)致接縫和空隙。

Centura? iSprint? ALD/CVD 接縫抑制鎢 （SSW） 系統(tǒng)采用一種處理工藝，可調(diào)節(jié)可能發(fā)生夾斷的特征位置的 W 生長(zhǎng)。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)鎢金屬的底部增強(qiáng)生長(zhǎng)。這種獨(dú)特的沉積機(jī)制抑制了接縫和空隙的形成，這可能不利于阻力和屈服。SSW系統(tǒng)的多功能性使芯片制造商能夠滿足多種應(yīng)用（包括邏輯和存儲(chǔ)器）中各種苛刻功能的間隙填充要求，同時(shí)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的高生產(chǎn)率。

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應(yīng)用材料公司的® Picosun® Morpher? F 系統(tǒng)旨在顛覆 Beyond 和 More than Moore 技術(shù)中高達(dá) 200 mm 的晶圓行業(yè)。它能夠快速、全自動(dòng)、高吞吐量地生產(chǎn) MEMS、傳感器、LED、激光器、電力電子、光學(xué)器件和 5G 組件，并具有領(lǐng)先的工藝質(zhì)量、可靠性和操作敏捷性。

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應(yīng)用材料公司的 Picosun Morpher F 設(shè)計(jì)用于與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)單晶圓真空集群平臺(tái)相結(jié)合，對(duì)晶圓批次進(jìn)行全自動(dòng)處理。革命性的晶圓批量翻轉(zhuǎn)機(jī)制使該系統(tǒng)能夠與半導(dǎo)體生產(chǎn)線集成，其中大部分加工都是在水平幾何形狀中進(jìn)行的，SEMI S2/S8 認(rèn)證確保該系統(tǒng)符合行業(yè)最嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。

憑借我們的雙室熱壁反應(yīng)器設(shè)計(jì)，具有完全分離的前驅(qū)體導(dǎo)管和入口，我們創(chuàng)造了最高質(zhì)量的 ALD 薄膜，具有出色的產(chǎn)量、低顆粒水平以及卓越的電氣和光學(xué)性能。緊湊、符合人體工程學(xué)的設(shè)計(jì)，易于快速維護(hù)，確保了市場(chǎng)上最短的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間和最低的擁有成本。

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