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我司主營AMAT TEL LAM  MKS SMC VAT等品牌半導體設(shè)備，零件。

由于FAB設(shè)備的部件型號比較多，不能一 一列舉，如果有其它型號的零部件需要，請隨時聯(lián)系我們。

聯(lián)系電話:021-6838 8387

我司上海九展自動化技術(shù)有限公司致力于為國內(nèi)半導體制造企業(yè)提供快速高效的設(shè)備，部件，耗材和維修服務。

我們跟國內(nèi)外多家設(shè)備制造商，經(jīng)銷商，零部件貿(mào)易商，晶圓廠，高校，研究所有長期的接觸和聯(lián)系，我們有能力保證品質(zhì)并提供有競爭力的價格。

Endura® Volta® 選擇性 W CVD

鎢 （W） 因其低電阻率和體填充特性而被廣泛用作線中 （MOL） 觸頭中的間隙填充材料。MOL觸點構(gòu)成了晶體管和互連之間的關(guān)鍵電氣鏈路。因此，確保低電阻率觸點對于器件的整體性能至關(guān)重要。

然而，隨著規(guī)模的不斷擴大，接觸尺寸已經(jīng)減小到接觸電阻成為實現(xiàn)最佳器件性能的瓶頸。隨著觸點橫截面積的縮小，金屬襯里/阻擋層和成核層占據(jù)了越來越大的體積，留給導電金屬填充物的體積越來越小。此外，插頭中的多個電阻接口有助于提高接觸電阻。

 

應用材料公司 Endura Volta Selective W CVD 系統(tǒng)提供了一種集成材料解決方案?，通過突破 2D 縮放來緩解這些不利影響。該系統(tǒng)將表面處理室與選擇性鎢沉積室相結(jié)合。選擇性沉積是通過沉積室的獨特工藝能力和各種表面處理來實現(xiàn)的，這些表面處理使用專門的化學成分來制備觸點的底層金屬和電介質(zhì)，以實現(xiàn)自下而上的金屬對金屬沉積。選擇性工藝消除了襯里/阻擋層和成核層，以緩解器件性能的瓶頸，并產(chǎn)生無空隙和無縫間隙填充。

由于所有工藝步驟均在超潔凈、連續(xù)的高真空環(huán)境中進行，因此集成材料解決方案可確保原始界面和無缺陷的觸點填充。隨著導電金屬體積的最大化，與傳統(tǒng)的襯里/阻擋接觸制造相比，接觸電阻率大大提高。這種較低的電阻有助于提高器件密度并擴展 2D 縮放。

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應用材料公司的® Picosun® Morpher? F 系統(tǒng)旨在顛覆 Beyond 和 More than Moore 技術(shù)中高達 200 mm 的晶圓行業(yè)。它能夠快速、全自動、高吞吐量地生產(chǎn) MEMS、傳感器、LED、激光器、電力電子、光學器件和 5G 組件，并具有領(lǐng)先的工藝質(zhì)量、可靠性和操作敏捷性。

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應用材料公司的 Picosun Morpher F 設(shè)計用于與行業(yè)標準單晶圓真空集群平臺相結(jié)合，對晶圓批次進行全自動處理。革命性的晶圓批量翻轉(zhuǎn)機制使該系統(tǒng)能夠與半導體生產(chǎn)線集成，其中大部分加工都是在水平幾何形狀中進行的，SEMI S2/S8 認證確保該系統(tǒng)符合行業(yè)最嚴格的標準。

憑借我們的雙室熱壁反應器設(shè)計，具有完全分離的前驅(qū)體導管和入口，我們創(chuàng)造了最高質(zhì)量的 ALD 薄膜，具有出色的產(chǎn)量、低顆粒水平以及卓越的電氣和光學性能。緊湊、符合人體工程學的設(shè)計，易于快速維護，確保了市場上最短的系統(tǒng)停機時間和最低的擁有成本。

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